江汉仪器/仪表
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江汉仪器/仪表信息

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  • 对标2657国产大电压数字源表HVP型

    对标2657国产大电压数字源表HVP型

    对标2657国产大电压数字源表HVP型是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲电压达3000V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。大电压源表适用于各行各业使用者,特别适合
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    2024-04-26
  • 宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪

    宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪

    宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪特点: 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力; 测量精度高,全量程下可达0.03%精度; 内置标准器件测试程序,直接调用测试简便; 自动实时参数提取,数据绘图、分析函数; 在CV和IV测量之间快速切换而无需重
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    2024-04-26
  • 大电流脉冲源表100A直流源表

    大电流脉冲源表100A直流源表

    HCP系列大电流脉冲源表100A直流源表具备直流和脉冲输出能力,最大脉冲输出电流100A,最大输出电压100V,支持四象限工作,输出及测量精度均可达0.1%,可广泛用于功率MOS测试、肖特二极管测试、整流桥堆测试及太阳能电池模组测试等。详询一八一四零六六三四七六; 应用
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    2024-04-26
  • led&二极管反向漏电流测试设备

    led&二极管反向漏电流测试设备

    led&二极管反向漏电流测试设备测试项目 集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat 集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges 栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th) 输入电容、输出电容、反向传输电容 续流二极管压降
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    2024-04-26
  • SMU电流模块

    SMU电流模块

    SMU电流模块认准普赛斯仪表,普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,准确度提升至±0.03%,直流电流升级至3A,可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案​;详询一八一四零六六三四七六; S型数字源表应用优势: 1、多功能
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    2024-04-26
  • 半导体分立器件测试设备参数分析源表

    半导体分立器件测试设备参数分析源表

    半导体分立器件泛指二极管、三极管等具有单一功能的半导体元器件,用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等电路中,是构成电力电子变化装置的核心器件之一,在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动化控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广
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    2024-04-26
  • 半导体芯片测试设备IV曲线扫描仪器

    半导体芯片测试设备IV曲线扫描仪器

    众所周知,半导体芯片测试设备IV曲线扫描仪器应用的专业领域十分广泛,分别有:微电子、集成电路、物理与电子工程、航空航天、材料科学与工程、材料与能源、电子科学与工程、光电信息与能源工程等等等... 数字源表作为电学测量的常用仪器,在高校和研究所的相关实验室内几
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    2024-04-26
  • 半导体器件IV+CV测试仪

    半导体器件IV+CV测试仪

    半导体器件IV+CV测试仪认准普赛斯仪表,普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表,相比于传统S系列源表,准确度提升至±0.03%,直流电流升级至3A,可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案​,详询一八一四零六六三四七六; S型数字源表应用优势:
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    2024-04-26
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  • 二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪

    二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪

    半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等;以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。
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    2024-04-26
  • 高电压大电流功率器件测试机

    高电压大电流功率器件测试机

    普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和
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    2024-04-26
  • 精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪

    精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪

    精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪优势 ◾ 性能强大-作为电压源和或电流源,并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小,预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围,全量程测量精度0.03%。 ◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量
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    2024-04-26
  • 旁路二极管热性能测试脉冲电流源

    旁路二极管热性能测试脉冲电流源

    热斑效应:太阳能电池一般是由多块电池组件串联或并联起来。串联支路中可能由于电池片内部缺陷或者外部遮挡,将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会严重发热而受损。旁路二极管是指并联于太阳能电池板正负极两端之间的二极管,
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    2024-04-26
  • 大电流电源3000A电流源

    大电流电源3000A电流源

    普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和
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    2024-04-26
  • E系列功率器件功能高压测试模块

    E系列功率器件功能高压测试模块

    武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。 未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优
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    2024-04-26
  • 功率器件分析仪igbt模块测试机

    功率器件分析仪igbt模块测试机

    功率器件分析仪igbt模块测试机特点 高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV); 大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联); 高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试; 丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数; 配置导出:支持一键
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    2024-04-26
  • 电阻式传感器电性能分析SMU数字源表

    电阻式传感器电性能分析SMU数字源表

    电阻式传感器电性能分析SMU数字源表 实时测试多种材料在同-环境条件下的电阻值的反应灵敏; 在低电压下进行下高范围跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的电阻测量,测试设备输入电阻要求高; I/N曲线扫描; 上位机实时显示各不同压敏电阻R/t曲线,并可记录存档。 S系列源表+上位机软件
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    2024-04-26
  • apd暗电流测试数字源表

    apd暗电流测试数字源表

    在APD的光电特性中,暗电流是一个重要的参数。暗电流是指在没有光照射的情况下,APD中由于热激发等原因导致的电子漂移和电子-空穴对产生而产生的电流,暗电流测试的准确性对于评估APD的性能和稳定性非常重要。在进行APD暗电流测试时,通常面临如下挑战:测试环境影响、连接
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    2024-04-26
  • 晶体管iv图示仪分立器件检测仪

    晶体管iv图示仪分立器件检测仪

    晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,是一种半导体器件,放大器或电控开关常用;包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管(后三者均为三端子)等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能,晶体管可用于各种各样的数字和模
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    2024-04-26
  • 功率器件功能高压测试模块

    功率器件功能高压测试模块

    E系列功率器件功能高压测试模块特点和优势: 十ms级的上升沿和下降沿; 单台最大3500V的输出; 0.1%测试精度; 同步电流或电压测量; 支持程控恒压测流,恒流测压,便于扫描测试;详询一八一四零六六三四七六; 部分参数 最大输出功率:350W,3500V
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    2024-04-26
  • 国产半导体参数分析仪1200V/100A

    国产半导体参数分析仪1200V/100A

    SPA-6100国产半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统,具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试;SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助
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    2024-04-26
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