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武昌仪器/仪表信息

共找到 6 条信息

半导体特性测试仪IV曲线扫描仪

半导体特性测试仪IV曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案；详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用

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2024-04-26
忆阻器IV测试脉冲恒压源CP系列

CP系列脉冲恒压源是武汉普赛斯仪表推出的窄脉宽、高精度、宽量程插卡式脉冲恒压源。设备支持窄脉冲电压输出，并同步完成输出电压及电流测量；支持多设备触发实现器件的脉冲IV扫描等；支持输出脉冲时序（如延迟、脉宽、周期等参数变量等）调节，可输出复杂曲线。主要特点有：

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2024-04-26
半导体IV特性曲线分析仪

半导体IV特性曲线分析仪认准生产厂家武汉普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具，接线简单、方便操作。利用数字源表简化半导体分立器件特性参数测试

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2024-04-26
光电二极管性能测试精密源表

光电探测器光电测试光电探测器一般需要先对晶圆进行测试,封装后再对器件进行二次测试,完成Z终的特性分析和分拣操作;光电探测器在工作时,需要施加反向偏置电压来拉开光注入产生的电子空穴对,从而完成光生载流子过程,因此光电探测器通常在反向状态工作;测试时比较关

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2024-04-26
低压型数字源表

数字源表现广泛用于半导体器件特性测试中，省钱省地，节约测试台空间，同时实现了大动态测试范围，集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体，普赛斯源表相对于进口源表，测试范围更广，价格更便宜！最大输出电压达300V，最小测试电流达100pA，支持四象限工作；SXXB系列

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2024-04-26
压力传感器测试仪

通常，压力传感器Ⅳ特性测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而，由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且，使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的

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2024-04-26

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二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪

半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。

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2024-04-26
高电压大电流功率器件测试机

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和

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2024-04-26
精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪

精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪优势 ◾ 性能强大-作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围，全量程测量精度0.03%。 ◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量

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2024-04-26
旁路二极管热性能测试脉冲电流源

热斑效应：太阳能电池一般是由多块电池组件串联或并联起来。串联支路中可能由于电池片内部缺陷或者外部遮挡，将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会严重发热而受损。旁路二极管是指并联于太阳能电池板正负极两端之间的二极管，

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2024-04-26
大电流电源3000A电流源

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和

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2024-04-26
E系列功率器件功能高压测试模块

武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优

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2024-04-26
功率器件分析仪igbt模块测试机

功率器件分析仪igbt模块测试机特点高电压：支持高达3.5KV高电压测试（Z大扩展至10kV）；大电流：支持高达6KA大电流测试（多模块并联）；高精度：支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试；丰富模板：内置丰富的测试模板，方便用户快速配置测试参数；配置导出：支持一键

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2024-04-26
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表

电阻式传感器电性能分析SMU数字源表实时测试多种材料在同-环境条件下的电阻值的反应灵敏; 在低电压下进行下高范围跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的电阻测量，测试设备输入电阻要求高; I/N曲线扫描; 上位机实时显示各不同压敏电阻R/t曲线，并可记录存档。 S系列源表+上位机软件

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2024-04-26
apd暗电流测试数字源表

在APD的光电特性中，暗电流是一个重要的参数。暗电流是指在没有光照射的情况下，APD中由于热激发等原因导致的电子漂移和电子-空穴对产生而产生的电流，暗电流测试的准确性对于评估APD的性能和稳定性非常重要。在进行APD暗电流测试时，通常面临如下挑战：测试环境影响、连接

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2024-04-26
晶体管iv图示仪分立器件检测仪

晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，是一种半导体器件，放大器或电控开关常用；包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，晶体管可用于各种各样的数字和模

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2024-04-26
功率器件功能高压测试模块

E系列功率器件功能高压测试模块特点和优势：十ms级的上升沿和下降沿；单台最大3500V的输出； 0.1%测试精度；同步电流或电压测量；支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；详询一八一四零六六三四七六；部分参数最大输出功率：350W，3500V

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2024-04-26
国产半导体参数分析仪1200V/100A

SPA-6100国产半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试；SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助

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2024-04-26
半导体特性曲线测试仪IV曲线扫描仪

普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%

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2024-04-26
半导体分立器件静态测试设备

普赛斯半导体分立器件测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六

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2024-04-26

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