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全武汉仪器/仪表信息
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二三极管iv测试仪iv曲线扫描仪
半导体分立器件根据基材不同,可分为不同类型。以硅基半导体为基材时,半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等；以宽禁带材料半导体为基材时,半导体分立器件主要包括:SiC.GaN半导体功率器件。面议2024-04-26 -
高电压大电流功率器件测试机
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和面议2024-04-26 -
精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪
精密国产电流源高精度IV曲线测试扫描仪优势 ◾ 性能强大-作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。覆盖0-3A的电流范围0-300V的电压范围，全量程测量精度0.03%。 ◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量面议2024-04-26 -
旁路二极管热性能测试脉冲电流源
热斑效应：太阳能电池一般是由多块电池组件串联或并联起来。串联支路中可能由于电池片内部缺陷或者外部遮挡，将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会严重发热而受损。旁路二极管是指并联于太阳能电池板正负极两端之间的二极管，面议2024-04-26 -
脉冲电流10A国产数字源表
脉冲电流10A国产数字源表认准普赛斯仪表，原厂直销、服务完善！P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达10A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用面议2024-04-26 -
1000A高电流脉冲电源
1000A高电流脉冲电源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（10uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。 设备可应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以独立完成“面议2024-04-26 -
半导体材料IV性能分析仪表
半导体材料IV性能分析仪表认准生产厂家普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯S型数字源表国产自主研发，厂家直销！性价比高，测试范围更广，输出电压高达300V，支持USB存储，一键导出报告，符合大环境下国内技术自给的需求，可及时与客户沟通，为客户提供高性价比面议2024-04-26 -
多通道源表之miniled芯片LIV测试
源表有一个简单的定义，就是五表合一（电流源、电压源、电流表、电压表、电子负载），也就是源输出+测量一体化，不同品牌及不同型号的源表都符合这个要求，只是差别在于输出范围、测量精度、速度、通道数不同。 对于早期应用最为广泛的2400源表，国内早已推出对标产面议2024-04-26 -
科研机构专用数字源表高精度
数字源表作为电学测量的常用仪器，在高校和研究所的相关实验室内几乎都能看到，源表集多表合一、配上专业软件即可实现各种定制测量，使用非常广泛。 S型科研机构专用数字源表高精度使用直观的触摸屏控制和图标化操作界面，令新用户通过简单操作快速获取测试结果，大大面议2024-04-26 -
大电流电源3000A电流源
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和面议2024-04-26 -
E系列功率器件功能高压测试模块
武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。 未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优面议2024-04-26 -
半导体特性测试仪IV曲线扫描仪
半导体特性测试仪IV曲线扫描仪认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案；详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用面议2024-04-26 -
半导体芯片IV性能测试仪表
半导体芯片IV性能测试仪表认准生产厂家武汉普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯仪表S型数字源表国产自主研发，单通道，不支持脉冲输出，触摸屏操作，支持多种通讯方式，RS-232、GPIB及以太网；最大输出电压达300V，最小测试电流达100pA，支持USB存储，一键导出面议2024-04-26 -
100pA-1A微电流数字源表
100pA-1A微电流数字源表特点： 同时精确提供和测量电压和/或电流； 同步测量，减少测试时间 提供和测量非常广的电流和电压； 电压可达300mV-300V,电流达100nA-1A 支持运行用户脚本程序，无需电脑控制，提高生产测试速度； 序列测试，简面议2024-04-26 -
大功率igbt模块测试设备功率器件静态参数测试仪
普赛斯大功率igbt模块测试设备功率器件静态参数测试仪，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率面议2024-04-26 -
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表
电阻式传感器电性能分析SMU数字源表 实时测试多种材料在同-环境条件下的电阻值的反应灵敏; 在低电压下进行下高范围跨度(Q、 KQ、MQ、GQ)的电阻测量，测试设备输入电阻要求高; I/N曲线扫描; 上位机实时显示各不同压敏电阻R/t曲线，并可记录存档。 S系列源表+上位机软件面议2024-04-26 -
功率器件CV测试系统+CV测试仪
系统方案 普赛斯功率器件CV测试系统+CV测试仪主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一面议2024-04-26 -
半导体参数CV测试仪
半导体参数CV测试仪优势 频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调； 高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%； 内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能; 兼容IV测试：同时面议2024-04-26 -
apd暗电流测试数字源表
在APD的光电特性中，暗电流是一个重要的参数。暗电流是指在没有光照射的情况下，APD中由于热激发等原因导致的电子漂移和电子-空穴对产生而产生的电流，暗电流测试的准确性对于评估APD的性能和稳定性非常重要。在进行APD暗电流测试时，通常面临如下挑战：测试环境影响、连接面议2024-04-26 -
晶体管iv图示仪分立器件检测仪
晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，是一种半导体器件，放大器或电控开关常用；包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、晶闸管（后三者均为三端子）等。晶体管具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，晶体管可用于各种各样的数字和模面议2024-04-26 -
对标2657国产大电压数字源表HVP型
对标2657国产大电压数字源表HVP型是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表，汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲电压达3000V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。大电压源表适用于各行各业使用者，特别适合面议2024-04-26 -
替代2400/2450国产数字源表S300型
替代2400/2450国产数字源表S300型认准武汉生产厂家普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六，普赛斯S型数字源表使用直观的触摸屏控制和图标化操作界面，令新用户通过简单操作快速获取测试结果，大大缩减学习仪器操作的时间，显著提高工作效率，同时将更多时间用于科研领域的面议2024-04-26 -
VCSEL测试设备PL系列
VCSEL测试设备PL系列是为大功率激光器LIV测试而研制的，大功率激光器使用直流或者宽脉冲加电时发热严重，而激光器特效受温度影响非常大，直流或宽脉冲下的测试结果并不能反映器件特性。详询一八一四零六六三四七六 PL系列产品具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流大、支持脉面议2024-04-26 -
什么是SMU源表?SMU源表的功能和优势
SMU源表突出特点：使用一台仪器进行多种测量 ； SMU源表功能： ①集合电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载的功能于一身，广泛用于各类精密器件的测量。 ②四象限工作，可作为源或负载 SMU源表相对传统电源、万用表的优势： 源表相对传统电源的优势：传统面议2024-04-26 -
半导体参数测试仪CV+IV曲线扫描仪
SPA-6100半导体参数测试仪CV+IV曲线扫描仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研面议2024-04-26 -
功率器件功能高压测试模块
E系列功率器件功能高压测试模块特点和优势： 十ms级的上升沿和下降沿； 单台最大3500V的输出； 0.1%测试精度； 同步电流或电压测量； 支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；详询一八一四零六六三四七六； 部分参数 最大输出功率：350W，3500V面议2024-04-26 -
半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪
SPA-6100半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料面议2024-04-26 -
宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪
宽量程30μV-1200V,1pA-100A半导体参数分析仪特点： 30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力； 测量精度高,全量程下可达0.03%精度； 内置标准器件测试程序，直接调用测试简便； 自动实时参数提取，数据绘图、分析函数； 在CV和IV测量之间快速切换而无需重面议2024-04-26 -
国产半导体参数分析仪1200V/100A
SPA-6100国产半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试；SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助面议2024-04-26 -
霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备
产品简介 霍尔延时响应测试系统电流传感器测试设备集多种测量和分析功能一体，可精准测量各种电流传感器（霍尔电流传感器、罗氏线圈、皮尔森线圈等）的静态与动态参数，单台大电流源电流可高达1000A。该系统可测量不同电流传感器的静态与动态参数，具有大电流特性、极快面议2024-04-26 -
光伏组件PID测试用源表
光伏组件PID测试所需主要仪器为： 步入式环境测试箱； 绝缘耐压测试仪； 接地连续性测试仪； PID测试直流电压源（数字源表）； HALM太阳模拟器（AAA+级）； EL测试仪等。 测试所需电源需求 电源电压：-1500V～0V/ 0～+1500V 电源时漂：≤0.3%/h面议2024-04-26 -
数字源表之光伏组件PID测试
PID测试仪器组成 测试所需主要仪器为： 步入式环境测试箱； 绝缘耐压测试仪； 接地连续性测试仪； PID测试直流电压源（数字源表）； HALM太阳模拟器（AAA+级）； EL测试仪等。 测试所需电源需求 电源电压：-1500V～0V/ 0～+1500V 电源时漂：≤0.面议2024-04-26 -
半导体特性曲线测试仪IV曲线扫描仪
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%面议2024-04-26 -
LDO电性能测试用数字源表
LDO常用的电性能参数测试，主要包括输出电压、输入输出电压差、线性调整率、负载调整率、静态电流等。由于LDO的测试需要分别采集输入与输出端的数据，因此一般情况下，测试系统至少需要配置2台SMU，并采用上位机软件(PssSMUTools)进行控制。 普赛斯S系列高精度数字源表，面议2024-04-26 -
LIV光电特性测试脉冲恒流源
LIV光电特性测试脉冲恒流源认准普赛斯仪表，厂家直销，服务完善，详询一八一四零六六三四七六；PL系列脉冲电流源是针对大功率激光器LIV测试而研制的，触摸显示屏全图形化操作，高灵敏度宽带光功率检测，内置LIV测试软件加速用户完成测试，具有输出电流脉冲窄、输出脉冲电流面议2024-04-26 -
半导体分立器件静态测试设备
普赛斯半导体分立器件测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询一八一四零六六三四七六面议2024-04-26
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