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场效应MOS管特性曲线测试国产源表

价格面议2024-04-26 13:30:02

公司名称：
武汉普赛斯仪表有限公司
服务内容：
国产源表
服务范围：
武汉洪山洪山周边
联系人：
whpssins
联系电话：
18140663476（湖北武汉）
其他联系：
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武汉普赛斯仪表有限公司

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场效应MOS管特性曲线测试国产源表

使用普赛斯S系列高精度数字源表、P系列高精度台式脉冲源表对MOSFET常见参数进行测试。

输入/输出特性测试
针对1A以下的MOSFET器件，推荐2台S系列源表搭建测试方案，Z大电压300V，Z大电流1A, 最小电流100pA，可以满足小功率MOSFET测试的需求。

针对Z大电流为1A~10A的MOSFET功率器件，推荐采用2台P系列脉冲源表搭建测试方案，其Z大电压 300V，Z大电流10A。

针对Z大电流为10A~100A的MOSFET功率器件，推荐采用P系列脉冲源表+HCP搭建测试方案，Z大电流高达100A。

阈值电压VGS（th)
VGS(th)是指栅源电压能使漏极开始有电流的VG S 值;测试仪表推荐S系列源表。

漏电流测试
GSS(栅源漏电流)是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流；IDSS(零栅压漏极电流)是指在当 VGS=0时，在指定的VDS下的DS之间漏电流，测试时推荐使用一台普赛斯S系列或P系列源表；

耐压测试
击穿电压在300V以下推荐使用S 系列台式源表或P系列脉冲源表，其Z大电压300V，击穿电压在300V以上的器件推荐使用E系列，Z大电压3500V。

C-V测试

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