高电压大电流igbt静态参数测试系统
价格面议2024-04-26 13:30:02
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武汉普赛斯仪表有限公司
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高电压大电流igbt静态参数测试系统
为应对各行各业对IGBT的测试需求,武汉普赛斯正向设计、精益打造了一款高精密电压-电流的IGBT静态参数测试系统,可提供IV、CV、跨导等丰富功能的综合测试,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求。系统采用模块化集成的设计结构,为用户后续灵活添加或升级测量模块提供了极大便捷和优性价比,提高测试效率以及产线UPH。
IGBT静态参数测试系统主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,Z大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA漏电流;集电极-发射极,Z大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能;Z高支持 3500V(可扩展至10kV)电压输出,且自带漏电流测量功能。电容特性测试,包括输入电容,输出电容,以及反向传输电容测试,频率Z高支持1MHz,可灵活选配。高电压大电流igbt静态参数测试系统就找武汉普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;
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