场效应MOS管特性曲线测试国产源表
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场效应MOS管特性曲线测试国产源表
使用普赛斯S系列高精度数字源表、P系列高精度台式脉冲源表对MOSFET常见参数进行测试。
输入/输出特性测试
针对1A以下的MOSFET器件，推荐2台S系 列源表搭建测试方案，Z大电压300V，Z大电流1A, 最小电流100pA，可以满足小功率MOSFET测试的需求。
针对Z大电流为1A~10A的MOSFET功率器件，推 荐采用2台P系列脉冲源表搭建测试方案，其Z大电压 300V，Z大电流10A。
针对Z大电流为10A~100A的MOSFET功率器件， 推荐采用P系列脉冲源表+HCP搭建测试方案，Z大电流高达100A。
阈值电压VGS（th)
VGS(th)是指栅源电压能使漏极开始有电流的VG S 值;测试仪表推荐S系列源表。
漏电流测试
GSS(栅源漏电流)是指在特定的栅源电压情况下 流过栅极的漏电流；IDSS(零栅压漏极电流)是指在当 VGS=0时，在指定的VDS下的DS之间漏电流，测试时推 荐使用一台普赛斯S系列或P系列源表；
耐压测试
击穿电压在300V以下推荐使用S 系列台式源表或P系列脉冲源表，其Z大电压300V，击穿电压在300V以上的器件推荐使用E系列，Z大电压3500V。
C-V测试
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