功率半导体测试平台功率器件测试设备
价格面议2024-09-24 10:30:02
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功率半导体测试平台功率器件测试设备
普赛斯功率半导体测试平台功率器件测试设备特点和优势：
单台Z大3500V输出；
单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A；
15us的超快电流上升沿；
同步测量；
国标全指标的自动化测试；
可定制夹具；
nA级电流和uΩ级电阻测量；
测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
测试夹具
针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体，IGBT、SiC、MOS、GaN等产品，普赛斯提供
整套测试夹具解决方案，可用于T0单管，半桥模组等产品的测试。
普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。功率半导体测试平台功率器件测试设备详询一八一四零六六三四七六
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