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三极管反向击穿电压测试SMU数字源表

价格面议2024-04-26 13:30:02

公司名称：
武汉普赛斯仪表有限公司
服务内容：
SMU数字源表
服务范围：
武汉洪山光谷
联系人：
whpssins
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18140663476（湖北武汉）
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武汉普赛斯仪表有限公司

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三极管反向击穿电压测试SMU数字源表

三极管是半导体基本元器件之一，设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。
根据材料以及用途不同，三极管器件的电压、电流技术参数也不同，针对1A以下的三极管器件，推荐2台S系列源表搭建测试方案，最大电压300V，最大电流1A,最小电流100pA，可以满足小功率MOSFET测试的需求。

针对最大电流为1A~10A的MOSFET功率器件，推荐采用2台P系列脉冲源表搭建测试方案，其最大电压 300V，最大电流10A。
针对最大电流为10A~100A的MOSFET功率器件，推荐采用P系列脉冲源表+HCP搭建测试方案，最大电流高达100A，最小电流低至100pA。

极间反向电流

反向击穿电压
击穿电压在300V以下推荐使用S系列台式源表或P系列脉冲源表，其最大电压300V，击穿电压在300V以上的器件推荐使用E系列，最大电压3500V。

CV特性
与MOS管一样,三极管也通过CV测量来表征器CV特性。

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