三极管反向击穿电压测试SMU数字源表
价格面议2025-02-27 16:07:59
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三极管反向击穿电压测试SMU数字源表
三极管是半导体基本元器件之一,设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。
根据材料以及用途不同,三极管器件的电压、电流技术参数也不同,针对1A以下的三极管器件,推荐2台S系列源表搭建测试方案,最大电压300V,最大电流1A,最小电流100pA,可以满足小功率MOSFET测试的需求。
针对最大电流为1A~10A的MOSFET功率器件,推荐采用2台P系列脉冲源表搭建测试方案,其最大电压 300V,最大电流10A。
针对最大电流为10A~100A的MOSFET功率器件, 推荐采用P系列脉冲源表+HCP搭建测试方案,最大电 流高达100A,最小电流低至100pA。
极间反向电流
反向击穿电压
击穿电压在300V以下推荐使用S系列台式 源表或P系列脉冲源表,其最大电压300V,击穿电压在300V以上的器件推荐使用E系列,最大电压3500V。
CV特性
与MOS管一样,三极管也通过CV测量来表征器CV特性。
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